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Overall
Device
BOX
Handle
Part-No.
Diameter
Diamater tol.
Size
Finish
Device Type
Device Dopant
Device Orientation
Device Resistivity
Thickness
Device TTV
Thickness
Handle Type
Handle Dopant
Handle Orientation
Handle Resistivity
Thickness
Handle TTV
Qty
Remarks
AI46013
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
155 ±2 µm
/
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
1000 ±7 µm
/
4
SiO2 on backside
E46066
150
0,5
/
Double Side Polished
P
B
<100> ±1°
0.01-0.02
100 ±1 µm
<2 µm
10.000 Å ±5 %
P
B
<100> ±1°
0.01-0.02
300 ±10 µm
/
15
/
AI46026
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
9 ±0.5 µm
<1 µm
0.5 µm ±10%
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
300 ±5 µm
/
20
SiO2 on backside
AI46045
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
5 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±10 µm
/
18
SiO2 on backside
SW46110
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
16.5 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
380 ±5 µm
/
8
SiO2 on backside
SW46111
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
16 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
380 ±5 µm
/
3
SiO2 on backside
AI46001
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
25 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
214
SiO2 on backside
AI46004
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
25 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
23
SiO2 on backside
AI46005
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
1-5
22 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
3
SiO2 on backside
AI46011
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
40 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
65
SiO2 on backside
AI46020
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
22 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
3
SiO2 on backside
AI46027
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
32 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
25
SiO2 on backside
AN46021
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
20 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
40
SiO2 on backside
AN46025
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
1-3
12.5 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
4
SiO2 on backside
AN46027
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
33 ±0.3 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
180
SiO2 on backside
CL46002
150
0,5
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
25 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
6
/
CL46003
150
0,5
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
40 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
4
/
CJ46002
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
25 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
50
SiO2 on backside
AI46007
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
0.02-0.04
5 ±0.3 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
1-5
400 ±5 µm
/
3
SiO2 on backside
AI46012
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
9 ±0.5 µm
<1 µm
0.5 µm ±10%
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
400 ±5 µm
/
10
SiO2 on backside
AI46046
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
1-10
8 ±0.5 µm
<1 µm
0.5 µm ±10%
N
Ph
<100> ±0.5°
1-10
400 ±5 µm
/
36
SiO2 on backside
E44477
100
0,5
/
Etched/Etched
N
Sb
/
0.008-0.02
400-525 ±25 µm
/
2 µm ±5%
N
Ph
/
1-10
400-525 ±5 µm
/
25
/
AI46002
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
48.6 ±0.5 µm
<1 µm
2.0 µm ±5%
N
RPh
<100> ±0.5°
<0.002
500 ±5 µm
/
143
SiO2 on backside
AI46025
150
0,2
/
/
N
RPh
<100> ±0.5°
0.01-0.02
60 ±0.6 µm
<1 µm
0.5 µm ±5%
N
RPh
<100> ±0.5°
0.01-0.02
500 ±5 µm
<1 µm
13
SiO2 on backside
AI46047
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
/
15 ±1 µm
/
0.5 µm ±10%
N
Ph
<100> ±0.5°
3-9
500 ±5 µm
/
1
SiO2 on backside
AI46048
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
0.01-0.02
48.6 ±0.5 µm
<1 µm
2.0 µm ±5%
N
RPh
<100> ±0.5°
0.001-0.005
500 ±5 µm
/
21
SiO2 on backside
AI46057
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
47 ±1 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
N
RPh
<100> ±0.5°
<0.002
500 ±5 µm
/
11
SiO2 on backside
AN46005
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
<0.005
100 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
<0.005
500 ±5 µm
/
12
SiO2 on backside
AN46007
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
<0.0015
40 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
<0.0015
500 ±5 µm
/
70
SiO2 on backside
AN46011
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
0.01-0.02
41.5 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
0.01-0.02
500 ±5 µm
/
1
SiO2 on backside
AN46015
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
0.1-3
30 ±1 µm
<2 µm
0.5 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
5-30
500 ±5 µm
/
9
SiO2 on backside
AN46035
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
48.6 ±0.5 µm
<1 µm
2.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
<0.002
500 ±5 µm
/
182
SiO2 on backside
CJ46001
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
100 ±1 µm
<2 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
550 ±10 µm
/
90
/
E48098
200
0,5
/
/
P
B
<100> ±1°
1-30
20 ±0.5 µm
/
10.000 Å ±5%
P
B
<100> ±1°
1-30
550 ±25 µm
/
1
/
AI46006
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
4.6 ±0.4 µm
<1 µm
2.1 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
550 ±5 µm
/
67
SiO2 on backside
AI46021
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
28.4 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
550 ±5 µm
/
3
SiO2 on backside
AN46003
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
<0.005
33 ±0.3 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
<0.005
550 ±5 µm
/
16
SiO2 on backside
AN46017
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
5 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
550 ±5 µm
/
70
SiO2 on backside
AN46019
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
28.4 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
550 ±5 µm
/
98
SiO2 on backside
AN46024
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
100 ±1 µm
<2 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
550 ±5 µm
/
14
SiO2 on backside
AN46026
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
1-5
10 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
1-5
550 ±5 µm
/
1
SiO2 on backside
CL46001
150
0,5
/
/
P
B
<100> ±0.5°
any
33 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
any
550 ±5 µm
/
20
/
CJ46004
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
4.6 ±0.4 µm
<1 µm
2.1 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
550 ±5 µm
/
50
SiO2 on backside
CJ46006
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
33 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
550 ±5 µm
/
200
SiO2 on backside
SW48037
200
0,5
/
Double Side Polished
N
Ph
<100> ±0.5°
1-50
120 ±2 µm
<2 µm
1.0 µm ±5 %
N
Ph
<100> ±0.5°
500-1000
610 ±15 µm
<10 µm
1
/
AN46034
150
0,2
/
/
N
Sb
<100> ±0.5°
0.008-0.02
20 ±0.5 µm
<1 µm
3.0 µm ±5%
N
Sb
<100> ±0.5°
0.008-0.02
627 ±5 µm
/
19
SiO2 on backside
AN46037
150
0,2
/
/
N
Sb
<100> ±0.5°
0.008-0.02
20 ±0.5 µm
<1 µm
3.0 µm ±5%
N
Sb
<100> ±0.5°
0.008-0.02
627 ±5 µm
/
6
SiO2 on backside
SW44073
100
0,5
/
/
P
B
<100> ±0.5°
10-20
14.5 ±0.5 µm
<1
1.000nm ±10%
P
B
<100> ±0.5°
15-25
675 ±20 µm
/
1
Laser cut edge
SW46001
150
0,5
/
/
P
B
<100>
10-20
8 ±0.5 µm
<1
1.0 µm ±5%
P
B
<100>
15-25
675 ±20 µm
/
4
/
AN46032
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
100 ±1 µm
<2 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
675 ±25 µm
/
40
/
CJ46005
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
0.01-0.02
40 ±0.5 µm
<1 µm
2.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
0.01-1
710 ±10 µm
/
35
/
AI46003
150
0,2
/
/
N
RPh
<100> ±0.2°
0.01-0.02
40 ±0.3 µm
<1 µm
2.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.2°
0.01-1
710 ±5 µm
/
130
SiO2 on backside
AI46053
150
0,2
/
/
N
Ph
<111> ±0.5°
0.01-0.1
40 ±0.5 µm
<1 µm
2.0 µm ±10%
N
Ph
<100> ±0.5°
0.1-1
710 ±5 µm
/
3
SiO2 on backside
SW42002
/
/
/
/
P
B
<100>
1-100
100 ±1 µm
<1.5
500 nm
P
B
<100>
1-100
725 ±5 µm
/
4
/
SW48010
200
0,5
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-100
100 ±1 µm
<1.5
500nm ±5 %
P
B
<100> ±0.5°
1-100
725 ±5 µm
/
23
/

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