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Overall
Device
BOX
Handle
Part-No.
Diameter
Diamater tol.
Size
Finish
Device Type
Device Dopant
Device Orientation
Device Resistivity
Thickness
Device TTV
Thickness
Handle Type
Handle Dopant
Handle Orientation
Handle Resistivity
Thickness
Handle TTV
Qty
Remarks
SW44060
/
/
/
/
P
B
<100>
1-100
100 ±1 µm
<1.5
500 nm
P
B
<100>
1-100
725 ±5 µm
/
4
/
SW42002
/
/
/
/
P
B
<100>
1-100
100 ±1 µm
<1.5
500 nm
P
B
<100>
1-100
725 ±5 µm
/
4
/
SW44006
100
0,5
/
/
intrinsic
undoped
<100> ±0.5°
>10.000
150 ±2 µm
/
2.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-20
300 ±15 µm
/
1
/
SW44038
100
0,5
/
/
P
B
<100> ±0.5°
150-1300
3 ±1 µm
/
5000 nm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
1-5
440 ±10 µm
/
15
/
SW44071
100
0,5
/
/
P
B
<100> ±0.5°
10-20
13 ±0.5 µm
<1
1.000nm ±10%
P
B
<100> ±0.5°
15-25
675 ±20 µm
/
4
/
SW44072
100
0,5
/
/
P
B
<100> ±0.5°
10-20
12 ±0.2 µm
<1
1.000nm ±10%
P
B
<100> ±0.5°
15-25
675 ±20 µm
/
1
/
SW44073
100
0,5
/
/
P
B
<100> ±0.5°
10-20
14.5 ±0.5 µm
<1
1.000nm ±10%
P
B
<100> ±0.5°
15-25
675 ±20 µm
/
1
/
SW46001
150
0,5
/
/
P
B
<100>
10-20
8 ±0.5 µm
<1
1.0 µm ±5%
P
B
<100>
15-25
675 ±20 µm
/
5
/
AN46001
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
12.8 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
3
SiO2 on backside
AN46002
150
0,2
/
/
N
Sb
<100> ±0.5°
0.01-0.02
10 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
N
Sb
<100> ±0.5°
0.01-0.02
380 ±5 µm
/
3
SiO2 on backside
AN46003
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
<0.005
33 ±0.3 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
<0.005
550 ±5 µm
/
22
SiO2 on backside
AN46005
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
<0.005
100 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
<0.005
500 ±5 µm
/
87
SiO2 on backside
AN46007
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
<0.0015
40 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
<0.0015
500 ±5 µm
/
91
SiO2 on backside
AN46009
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
4.6 ±0.4 µm
<1 µm
2.1 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
550 ±5 µm
/
2
SiO2 on backside
AN46011
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
0.01-0.02
41.5 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
0.01-0.02
500 ±5 µm
/
1
SiO2 on backside
AN46012
150
0,2
/
/
N
Sb
<100> ±0.5°
0.01-0.02
100 ±0.5 µm
<1 µm
2.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
1-10
575 ±5 µm
/
23
SiO2 on backside
AN46015
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
0.1-3
30 ±1 µm
<2 µm
0.5 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
5-30
500 ±5 µm
/
14
SiO2 on backside
AN46017
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
5 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
550 ±5 µm
/
76
SiO2 on backside
AN46018
150
0,2
/
/
N
Sb
<100> ±0.5°
0.008-0.02
100 ±1 µm
<2 µm
2.0 µm ±5%
N
Sb
<100> ±0.5°
0.008-0.02
548 ±5 µm
/
6
SiO2 on backside
AN46019
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
28.4 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
550 ±5 µm
/
98
SiO2 on backside
AN46021
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
20 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
40
SiO2 on backside
AN46022
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
30 ±1 µm
<2 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
550 ±15 µm
/
11
SiO2 on backside
AN46024
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
100 ±1 µm
<2 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
550 ±5 µm
/
25
SiO2 on backside
AN46025
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
1-3
12.5 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
4
SiO2 on backside
AN46026
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
1-5
10 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
1-5
550 ±5 µm
/
1
SiO2 on backside
AN46027
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
33 ±0.3 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
200
SiO2 on backside
AN46028
150
0,2
/
/
N
Sb
<100> ±0.5°
0.008-0.02
100 ±1 µm
<2 µm
2.0 µm ±5%
N
Sb
<100> ±0.5°
0.008-0.02
547 ±5 µm
/
8
SiO2 on backside
AN46032
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
100 ±1 µm
<2 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
675 ±25 µm
/
43
/
AN46033
150
0,2
/
/
N
Sb
<100> ±0.5°
0.008-0.02
100 ±1 µm
<2 µm
2.0 µm ±5%
N
Sb
<100> ±0.5°
0.008-0.02
548 ±5 µm
/
15
SiO2 on backside
AN46034
150
0,2
/
/
N
Sb
<100> ±0.5°
0.008-0.02
20 ±0.5 µm
<1 µm
3.0 µm ±5%
N
Sb
<100> ±0.5°
0.008-0.02
627 ±5 µm
/
45
SiO2 on backside
AN46035
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
48.6 ±0.5 µm
<1 µm
2.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
<0.002
500 ±5 µm
/
200
SiO2 on backside
AI46001
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
25 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
214
SiO2 on backside
AI46002
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
48.6 ±0.5 µm
<1 µm
2.0 µm ±5%
N
RPh
<100> ±0.5°
<0.002
500 ±5 µm
/
143
SiO2 on backside
AI46003
150
0,2
/
/
N
RPh
<100> ±0.2°
0.01-0.02
40 ±0.3 µm
<1 µm
2.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.2°
0.01-1
710 ±5 µm
/
131
SiO2 on backside
AI46004
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
25 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
33
SiO2 on backside
AI46005
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
1-5
22 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
3
SiO2 on backside
AI46006
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
4.6 ±0.4 µm
<1 µm
2.1 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
550 ±5 µm
/
92
SiO2 on backside
AI46007
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
0.02-0.04
5 ±0.3 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
1-5
400 ±5 µm
/
7
SiO2 on backside
AI46009
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
14 ±0.5 µm
<1 µm
0.5 µm ±10%
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
300 ±5 µm
/
2
SiO2 on backside
AI46010
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
3.0 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
300 ±5 µm
/
2
SiO2 on backside
AI46011
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
40 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
65
SiO2 on backside
AI46012
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
9 ±0.5 µm
<1 µm
0.5 µm ±10%
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
400 ±5 µm
/
25
SiO2 on backside
AI46013
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
155 ±2 µm
/
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
1000 ±7 µm
/
21
SiO2 on backside
AI46015
150
0,2
/
/
N
RPh
<100> ±0.5°
<0.002
200 ±5 µm
/
3.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
11
SiO2 on frontside
AI46016
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
115 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
525 ±5 µm
/
5
SiO2 on backside
AI46017
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
18.5 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
380 ±5 µm
/
15
SiO2 on backside
AI46020
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
22 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
4
SiO2 on backside
AI46021
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
28.4 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
550 ±5 µm
/
3
SiO2 on backside
AI46022
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
60 ±0.5 µm
<1 µm
0.5 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
500 ±5 µm
/
4
SiO2 on backside
AI46023
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
17-23
2.1 ±0.4 µm
<1 µm
0.5 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
4.8-7.2
675 ±5 µm
/
9
SiO2 on backside
AI46025
150
0,2
/
/
N
RPh
<100> ±0.5°
0.01-0.02
60 ±0.6 µm
<1 µm
0.5 µm ±5%
N
RPh
<100> ±0.5°
0.01-0.02
500 ±5 µm
<1 µm
14
SiO2 on backside
AI46026
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
9 ±0.5 µm
<1 µm
0.5 µm ±10%
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
300 ±5 µm
/
20
SiO2 on backside
AI46027
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
32 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
39
SiO2 on backside
AI46028
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
1-5
140 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
350 ±5 µm
/
2
SiO2 on backside
AI46029
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
1-5
24 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
350 ±5 µm
/
3
SiO2 on backside
AI46030
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
4.6 ±0.4 µm
<1 µm
2.1 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
550 ±5 µm
/
5
SiO2 on backside
AI46033
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
3 ±0.5 µm
<1 µm
1.5 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
300 ±5 µm
/
20
SiO2 on backside
AI46036
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.3-0.5
30 ±0.5 µm
<1 µm
2 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-10
600 ±5 µm
/
3
SiO2 on backside
AI46038
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
150 ±2 µm
<2 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
500 ±5 µm
<2 µm
24
SiO2 on backside
AI46044
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
49 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
N
RPh
<100> ±0.5°
<0.002
500 ±5 µm
/
11
SiO2 on backside
AI46045
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
5 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
42
SiO2 on backside
AI46046
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
1-10
8 ±0.5 µm
<1 µm
0.5 µm ±10%
N
Ph
<100> ±0.5°
1-10
400 ±5 µm
/
37
SiO2 on backside
AI46047
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
/
15 ±1 µm
/
0.5 µm ±10%
N
Ph
<100> ±0.5°
3-9
500 ±5 µm
/
1
SiO2 on backside
AI46048
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
0.01-0.02
48.6 ±0.5 µm
<1 µm
2.0 µm ±5%
N
RPh
<100> ±0.5°
0.001-0.005
500 ±5 µm
/
21
SiO2 on backside
AI46052
150
0,2
/
/
N
Sb
<111> ±0.5°
<0.02
40 ±0.5 µm
<1 µm
2.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
0.1-1
400 ±10 µm
/
1
SiO2 on backside
AI46053
150
0,2
/
/
N
Ph
<111> ±0.5°
0.01-0.1
40 ±0.5 µm
<1 µm
2.0 µm ±10%
N
Ph
<100> ±0.5°
0.1-1
710 ±5 µm
/
10
SiO2 on backside
AI46055
150
0,2
/
/
N
Sb
<100> ±0.5°
0.01-0.02
100 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±10%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
550 ±5 µm
/
15
SiO2 on backside
AI46056
150
0,2
/
/
N
Sb
<100> ±0.5°
0.01-0.02
100 ±0.5 µm
<1 µm
2.0 µm ±10%
N
Ph
<100> ±0.5°
1-10
575 ±5 µm
/
104
SiO2 on backside
E46066
150
0,5
/
Double Side Polished
P
B
<100> ±1°
0.01-0.02
100 ±1 µm
<2 µm
10.000 Å ±5 %
P
B
<100> ±1°
0.01-0.02
300 ±10 µm
/
18
/
CL46001
150
0,5
/
/
P
B
<100> ±0.5°
any
33 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
any
550 ±5 µm
/
20
/
CL46002
150
0,5
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
25 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
6
/
CL46003
150
0,5
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
40 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
4
/
CJ46001
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
100 ±1 µm
<2 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
550 ±10 µm
/
90
/
CJ46002
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
25 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
50
SiO2 on backside
CJ46003
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
40 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
50
SiO2 on backside
CJ46004
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
4.6 ±0.4 µm
<1 µm
2.1 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
550 ±5 µm
/
50
SiO2 on backside
CJ46005
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
0.01-0.02
40 ±0.5 µm
<1 µm
2.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
0.01-1
710 ±10 µm
/
37
/
CJ46006
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
33 ±0.5 µm
<1 µm
2.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
555 ±5 µm
/
200
SiO2 on backside
SW48010
200
0,5
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-100
100 ±1 µm
<1.5
500nm ±5 %
P
B
<100> ±0.5°
1-100
725 ±5 µm
/
23
/
SW48037
200
0,5
/
Double Side Polished
N
Ph
<100> ±0.5°
1-50
120 ±2 µm
<2 µm
1.0 µm ±5 %
N
Ph
<100> ±0.5°
500-1000
610 ±15 µm
<10 µm
1
/

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